三星宣布2022年底前量产8层TSV技术堆叠的DDR5芯片，传输速度高达7.2Gbps

外电报道指出，韩国三星电子在23日举行的在全球半导体产业会议Hotchips 33上表示，三星电子将于2022年底开始量产8层堆栈的DDR5内存。

根据韩国媒体《THEELEC》报道指出，韩国三星电子将于2022年底开始量产的8层堆栈DDR5内存。其将使用其硅通孔 (TSV) 技术，将512GB DDR5内存模块进一步堆栈起来。而目前该公司已经生产出4层堆栈，并采用TSV技术集成DDR4内存模块的内存，整个芯片的厚度仅1.2毫米。

报引导用三星的说法表示，尽管可堆栈到8层DDR5内存模块，但整个DDR5内存仍将比1毫米更薄。而且与DDR4内存相较，新的DDR5内存还将具有更好的散热功能，而这要归功于新型材料的应用所导致。另外，三星还在模块中也采用自己开发的新款电源管理IC来降低噪音，并使其有较优秀的功耗性能。

报道进一步指出，三星新的8层堆栈DDR5内存将具有7.2Gbps的资料传输速度。三星还应用了一种称为决策反馈均衡器的技术，以进一步提升数据传输速率，并保信号的稳定状况。另外，三星还强调，新的内存模块将以数据中心的服务器市场需求为主要供应对象。

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