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三星宣布2022年底前量产8层TSV技术堆叠的DDR5芯片,传输速度高达7.2Gbps

  • 发布时间:2021-08-31 10:28:41
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外电报道指出,韩国三星电子在23日举行的在全球半导体产业会议Hotchips 33上表示,三星电子将于2022年底开始量产8层堆栈的DDR5内存。

根据韩国媒体《THEELEC》报道指出,韩国三星电子将于2022年底开始量产的8层堆栈DDR5内存。其将使用其硅通孔 (TSV) 技术,将512GB DDR5内存模块进一步堆栈起来。而目前该公司已经生产出4层堆栈,并采用TSV技术集成DDR4内存模块的内存,整个芯片的厚度仅1.2毫米。

 

 

报引导用三星的说法表示,尽管可堆栈到8层DDR5内存模块,但整个DDR5内存仍将比1毫米更薄。而且与DDR4内存相较,新的DDR5内存还将具有更好的散热功能,而这要归功于新型材料的应用所导致。另外,三星还在模块中也采用自己开发的新款电源管理IC来降低噪音,并使其有较优秀的功耗性能。

报道进一步指出,三星新的8层堆栈DDR5内存将具有7.2Gbps的资料传输速度。三星还应用了一种称为决策反馈均衡器的技术,以进一步提升数据传输速率,并保信号的稳定状况。另外,三星还强调,新的内存模块将以数据中心的服务器市场需求为主要供应对象。

 

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